对比图
型号 BSS192,115 MMBF170 BSS192PH6327FTSA1
描述 P 通道 MOSFET，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 VINFINEON BSS192PH6327FTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-89-3 SOT-23-3 SOT-89-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 12 Ω 5 Ω 7.7 Ω
极性 P-Channel N-Channel P-Channel
耗散功率 1 W 300 mW 1 W
阈值电压 2.8 V 2.1 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 240 V 60 V 250 V
连续漏极电流(Ids) -200 mA 500 mA 0.19A
输入电容(Ciss) 90pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds) 104pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 300 mW 1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 560mW (Ta), 12.5W (Tc) 300mW (Ta) 1W (Ta)
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 500 mA -
通道数 - 1 1
输入电容 - 40.0 pF -
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率 - - 1 W
上升时间 - - 5.2 ns
下降时间 - - 50 ns
长度 4.6 mm 2.92 mm 4.5 mm
宽度 2.6 mm 1.3 mm 2.5 mm
高度 1.6 mm 0.93 mm 1.5 mm
封装 SOT-89-3 SOT-23-3 SOT-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99