FDB8870和FDB8870_F085

对比图

型号 FDB8870 FDB8870_F085 PHB66NQ03LT,118

描述 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ ？ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETMOSFET N-CH 30V 21A TO-263ABMOSFET N-CH 25V 66A SOT404

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - -

耗散功率 160 W 160 W 93 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 5200pF @15V(Vds) 860pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W - 93 W

耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 93W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 160 A - -

漏源极电阻 0.0039 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

阈值电压 2.5 V - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 23A -

上升时间 98 ns 98 ns -

下降时间 47 ns 47 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -