DS1220AB-200IND+和DS1220AD-200+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AB-200IND+ DS1220AD-200+ M48Z12-200PC1

描述 Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-200+  芯片, 存储器, NVRAM5V , 16Kbit的( 2K位×8 ) ZEROPOWER SRAM 5V, 16Kbit (2Kb x 8) ZEROPOWER SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 EDIP-24 EDIP-24 DIP-24

引脚数 - 24 24

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.25 V 5.5 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - 200 GHz 200 GHz

内存容量 - 2000 B 2000 B

存取时间(Max) - - 200 ns

针脚数 - 24 -

长度 38.1 mm 34.04 mm 34.8 mm

宽度 18.8 mm 18.29 mm 18.34 mm

高度 10.67 mm 9.4 mm 8.89 mm

封装 EDIP-24 EDIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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