对比图
型号 FDC855N RTQ045N03TR PMN40LN,135
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FETNXP PMN40LN,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 0.0207 Ω 420 mΩ 0.032 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.6 W 1.25 W 1.75 W
阈值电压 2 V - 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.1A 4.50 A 5.40 A
上升时间 2 ns 31 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 655pF @15V(Vds) 540pF @10V(Vds) 555pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 1.25 W 1.75 W
下降时间 2 ns 30 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.25W (Ta) 1.75W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 4.50 A -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
长度 3 mm - 3.1 mm
宽度 1.7 mm - 1.7 mm
高度 1 mm - 1 mm
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17