对比图
型号 IPB017N10N5LFATMA1 IPB025N10N3GATMA1 IPB017N10N5ATMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3.3 VINFINEON IPB025N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7 8
封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7
额定功率 - 300 W 375 W
通道数 - - 1
针脚数 7 7 7
漏源极电阻 0.0015 Ω 0.002 Ω 0.0015 Ω
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 313 W 300 W 375 W
阈值电压 3.3 V 2.7 V 2.2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - 180A 180A
上升时间 28 ns 58 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 650pF @50V(Vds) 11100pF @50V(Vds) 15600pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - - 375 W
下降时间 82 ns 28 ns 27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 313000 mW 300000 mW 375W (Tc)
宽度 - 9.25 mm 9.25 mm
封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7
长度 - 10 mm -
高度 - 4.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99