对比图
型号 BCP56-10 BCP56-10,115 BCP56-16T3G
描述 NXP BCP56-10 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFENXP BCP56-10,115 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFEON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4
针脚数 4 4 4
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 640 mW 640 mW 1.5 W
直流电流增益(hFE) 63 63 25
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
频率 - 180 MHz 130 MHz
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 1.00 A
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V
集电极最大允许电流 - 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V
额定功率(Max) - 960 mW 1.5 W
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 960 mW 1.5 W
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4
长度 - 6.7 mm 6.5 mm
宽度 - 3.7 mm 3.5 mm
高度 - 1.7 mm 1.63 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
含铅标准 - Lead Free Lead Free
材质 - - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
ECCN代码 - - EAR99