对比图
型号 IRLML2030TRPBF PMV117EN,215 ZXMN3B01FTA
描述 INFINEON IRLML2030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 VNXP PMV117EN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 VZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.08 Ω 0.074 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 830 mW 625 mW
阈值电压 1.7 V 2 V 700 mV
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 2.7A 2.50 A 2.00 A
输入电容(Ciss) 110pF @15V(Vds) 147pF @10V(Vds) 258pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 830 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 830mW (Tc) 806 mW
额定功率 1.3 W - -
输入电容 110 pF - 258 pF
上升时间 3.3 ns - 3.98 ns
下降时间 2.9 ns - 5.27 ns
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 2.00 A
通道数 - - 1
栅电荷 - - 2.93 nC
漏源击穿电压 - - 30 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 3.04 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 1.02 mm - 1.02 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17