对比图
型号 FQPF8N80C FQPF8N80CYDTU STP7NK80ZFP
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220F TubeSTMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V 800 V -
额定电流 8.00 A 8.00 A -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 1.29 Ω 1.55 Ω 1.5 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 59 W 59 W 30 W
阈值电压 5 V - 3.75 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A 5.20 A
上升时间 110 ns 110 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 1138pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 59 W 59 W 30 W
下降时间 70 ns 70 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 59W (Tc) 59W (Tc) 30W (Tc)
额定功率 - - 30 W
通道数 - 1 -
长度 10.16 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.19 mm 16.3 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -