对比图
型号 BS108ZL1 BS108ZL1G BS108,126
描述 N沟道TO-92-3封装场效应管小信号N沟道TO-92-3封装场效应管SPTAmmo N-CH 200V 0.3A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 250 mA 250 mA -
漏源极电阻 8.00 Ω 8.00 Ω 5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 350 mW 350 mW 1 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA 0.3A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
通道数 - - 1
输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 350mW (Ta) 1W (Ta)
额定功率(Max) - 350 mW -
长度 5.2 mm 5.2 mm 4.8 mm
宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.2 mm
高度 5.33 mm 5.33 mm 5.2 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Ammo Pack Tape & Box (TB) Tape & Box (TB)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -