IRF1010NPBF和STP65NF06

对比图

型号 IRF1010NPBF STP65NF06 STP78N75F4

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 85A TO-220AB 新STMICROELECTRONICS  STP65NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 VN沟道 75V 78A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 180 W 110 W 150 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 85.0 A 30.0 A 78A

上升时间 76 ns 60 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 5015pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 180 W 110 W 150 W

下降时间 48 ns 16 ns 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 150W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 85 A 60.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 11 mΩ 0.0115 Ω -

输入电容 3210pF @25V 1.70 nF -

栅电荷 - 75.0 nC -

漏源击穿电压 55 V 60 V -

产品系列 IRF1010N - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.66 mm 10.4 mm -

宽度 4.4 mm 4.6 mm -

高度 16.51 mm 15.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99