对比图
型号 HUF75345P3 STP85NF55 STP80NF55-08
描述 UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP85NF55 场效应管, MOSFETSTMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 75.0 A 80.0 A 80.0 A
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.006 Ω 0.008 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 325 W 300 W 300 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
输入电容 4.00 nF 3700 pF -
栅电荷 125 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55.0 V 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 118 ns 100 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 325 W 300 W 300 W
下降时间 26 ns 35 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 325W (Tc) 300W (Tc) 300 W
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 16.3 mm - 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -