CSD19534Q5A和CSD19537Q3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD19534Q5A CSD19537Q3 CSD19531Q5A

描述 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5ACSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD19531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-8 VSON-Clip-8 VSON-FET-8

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0053 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 3.2 W 2.8 W 3.3 W

阈值电压 2.4 V - 2.7 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 100A

上升时间 14 ns 3 ns 5.8 ns

输入电容(Ciss) 1680pF @50V(Vds) 1680pF @50V(Vds) 3870pF @50V(Vds)

下降时间 6 ns 3 ns 5.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 63W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)

通道数 1 - -

封装 VSON-8 VSON-Clip-8 VSON-FET-8

宽度 4.9 mm 3.3 mm -

长度 - 3.3 mm -

高度 - 1 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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