对比图
型号 STW45NM50 STW55NM60ND STW45NM50FD
描述 STMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW55NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 VN沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 45.0 A - 45.0 A
额定功率 390 W - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.1 Ω 0.047 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 417 W 350 W 417 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 45.0 A - 45.0 A
上升时间 107.5 ns 68 ns 107.5 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 5800pF @50V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 417 W 350 W 417 W
下降时间 87.7 ns 96 ns 87.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 417W (Tc) 350W (Tc) 417W (Tc)
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -