IRFBC30APBF和STP4NK60Z

对比图

型号 IRFBC30APBF STP4NK60Z IRFBC40APBF

描述 VISHAY  IRFBC30APBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS  STP4NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VVISHAY  IRFBC40APBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 4.00 A 6.20 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2.2 Ω 2 Ω 1.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74 W 70 W 125 W

阈值电压 4.5 V 3.75 V 4 V

输入电容 - - 1036pF @25V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 4.00 A 6.20 A

上升时间 - 9.5 ns 23.0 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 1036pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74 W 70W (Tc) 125 W

额定功率 - 70 W -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 - 16.5 ns -

长度 10.41 mm 10.4 mm 10.41 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.01 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 - Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -