对比图
型号 STS8C5H30L FDS8958A_F085 FDS8928A
描述 STMICROELECTRONICS STS8C5H30L 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8928A 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 670 mV
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.018 Ω 0.019 Ω 0.025 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.6 W 2 W 2 W
阈值电压 1.6 V 1.9 V 670 mV
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30V, 20V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A, 4.20 A 7A/5A 5.50 A
输入电容(Ciss) 857pF @25V(Vds) 575pF @15V(Vds) 900pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 900 mW 900 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2 W -
额定电流 8.00 A - 5.50 A
输入电容 - - 1.13 nF
栅电荷 - - 20.0 nC
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V - ±8.00 V
上升时间 35.0 ns - 23.0 ns
通道数 2 - -
长度 5 mm 4.9 mm -
宽度 4 mm 3.9 mm -
高度 1.65 mm 1.575 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99