对比图
型号 BC858B,235 BC858B,215 BC858BLT3G
描述 TO-236AB PNP 30V 0.1ANXP BC858B,215 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -100 mA
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.25 W 250 mW 0.3 W
增益频宽积 - - 100 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220
额定功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW
针脚数 - 3 -
最大电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V -
直流电流增益(hFE) - 220 -
长度 - - 2.9 mm
宽度 - 1.4 mm 1.3 mm
高度 - - 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99