对比图
型号 SI2305CDS-T1-GE3 SI2305DS-T1-E3 SI2305DS-T1-GE3
描述 VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 VVISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mVTrans MOSFET P-CH Si 8V 3.5A 3Pin SOT-23 T/R
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 TO-236 SOT-23
额定功率 - 1.25 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.028 Ω 52 mΩ 0.044 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.7 W 1.25 W 1.25 W
漏源极电压(Vds) - -8.00 V -8.00 V
栅源击穿电压 - ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) - 3.50 A -3.50 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
上升时间 20 ns - -
输入电容(Ciss) 960pF @4V(Vds) - -
下降时间 10 ns - -
耗散功率(Max) 0.96 W - -
封装 SOT-23 TO-236 SOT-23
长度 3.04 mm - -
宽度 1.4 mm - -
高度 1.02 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -