对比图
型号 PSMN7R6-60PS SPP11N80C3 STW11NK100Z
描述 N沟道60 V 7.8 mΩ的标准电平MOSFET N-channel 60 V 7.8 mΩ standard level MOSFETINFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-247-3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 60 V 800 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 92A 11.0 A 8.30 A
上升时间 21 ns 15 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 2651pF @30V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 3500pF @25V(Vds)
下降时间 13 ns 7 ns 55 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 149000 mW 156 W 230W (Tc)
额定电压(DC) - 800 V 1.00 kV
额定电流 - 11.0 A 8.30 A
额定功率 - 156 W 230 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.39 Ω 1.38 Ω
耗散功率 - 156 W 230 W
阈值电压 - 3 V 3.75 V
额定功率(Max) - 156 W 230 W
漏源击穿电压 - - 1.00 kV
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
封装 TO-220 TO-220-3 TO-247-3
长度 - 10.36 mm 15.75 mm
宽度 - 4.57 mm 5.15 mm
高度 - 9.45 mm 20.15 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99