IDH06S60C和IDT03S60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH06S60C IDT03S60C SDT06S60

描述 第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode2ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 6.00 A

正向电压 1.7V @6A - 1.7V @6A

反向恢复时间 0 ns - 0 ns

正向电流 - - 6 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 21.5 A

正向电压(Max) 1.7V @6A - 1.7V @6A

正向电流(Max) - 4.5 A 6 A

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - - 175 ℃

耗散功率(Max) - 25000 mW 57600 mW

额定功率 63 W - -

负载电流 6 A - -

热阻 2.4℃/W (RθJC) - -

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - Contains SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

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