对比图
型号 IPD090N03LGATMA1 IPD105N03LG IPD09N03LB G
描述 INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V30V,35A,N沟道功率MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin(2+Tab) DPAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 42 W 38.0 W 58W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 38 W -
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 50.0 A
输入电容 - - 1.60 nF
栅电荷 - - 13.0 nC
连续漏极电流(Ids) 40A - 50.0 A
耗散功率(Max) 42W (Tc) - 58W (Tc)
额定功率 42 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0075 Ω - -
阈值电压 2.2 V - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
宽度 6.22 mm - -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)