对比图
型号 FQPF6N90C STP6NK90ZFP FQAF5N90
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.93 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP6NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 SC-94
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.93 Ω 1.56 Ω 2.30 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 56 W 30 W 90W (Tc)
阈值电压 5 V 3.75 V -
输入电容 - 1350 pF -
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 5.80 A 4.10 A
上升时间 90 ns 45 ns -
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 56 W 30 W 90 W
下降时间 60 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 56W (Tc) 30W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) - - 900 V
额定电流 - - 4.10 A
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
长度 10.16 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 9.19 mm 9.3 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 SC-94
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -