VND5N07和VND5N07-E

对比图

型号 VND5N07 VND5N07-E VND5N0713TR

描述 ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsOMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器电源管理开关电源

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 7 A -

供电电流 0.25 mA 0.25 mA -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 200 mΩ 0.2 Ω 0.2 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 60000 mW 60 W 60 W

阈值电压 - 55 V 800 mV

漏源极电压(Vds) - 70 V 70 V

漏源击穿电压 70.0 V 70.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.00 A 5.00 A

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

输出电流(Min) 5 A 5 A -

输入数 - 1 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW -

输入电压 - 18 V -

额定电压(DC) 70.0 V - 70.0 V

额定电流 5.00 A - 5.00 A

电源电压(Max) 18 V - -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99