对比图
型号 FQT4N20LTF IRLM210ATF STN4NF20L
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N20LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RSTMICROELECTRONICS STN4NF20L 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 4
封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 850 mA 770 mA -
针脚数 3 - 4
漏源极电阻 1.1 Ω 1.50 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.2 W 1.8 W 3.3 W
阈值电压 2 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 850 mA 770 mA 1A
上升时间 70 ns - 2 ns
输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.2 W - 3.3 W
下降时间 40 ns - 10.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.2 W 1.8W (Tc) 3.3W (Tc)
通道数 - - 1
长度 6.5 mm - 6.5 mm
宽度 3.56 mm - -
高度 1.6 mm - 1.8 mm
封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -