对比图
型号 STD95N3LLH6 STU95N3LLH6 STP85N3LH5
描述 STMICROELECTRONICS STD95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 VN沟道30 V ， 0.0037 I© ， 80 A， D2PAK ， DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-220-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0037 Ω - 0.0046 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 70 W 70W (Tc) 70 W
阈值电压 1 V - 2.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80A - 40.0 A
上升时间 91 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W - 70 W
下降时间 23.4 ns - 10.8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
长度 6.6 mm - -
宽度 6.2 mm - -
高度 2.4 mm - -
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-220-3
工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17