对比图
型号 IRF3205ZSPBF STB140NF75T4 STB60N55F3
描述 IRF3205ZSPBF 停产 管装STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAKN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 75.0 V -
额定电流 75.0 A 120 A -
额定功率 170 W - -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 170 W 310 W 110 W
产品系列 IRF3205ZS - -
输入电容 3.45 nF - -
栅电荷 110 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 75 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 120 A 56.0 A, 80.0 A
上升时间 95.0 ns 140 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 310 W 110 W
漏源极电阻 - 0.0065 Ω 8.5 mΩ
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源击穿电压 - 75.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
下降时间 - 90 ns 11.5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 310W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - - 1
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.75 mm
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99