对比图
型号 FDD5680 STD35NF06T4 STD30NF06T4
描述 N沟道， PowerTrench MOSFET N-Channel, PowerTrench⑩ MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD30NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 38.0 A 35.0 A 28.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.017 Ω 0.024 Ω 0.02 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.8 W 55 W 70 W
阈值电压 2.4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.50 A 35.0 A 28.0 A
上升时间 9.00 ns 8 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 1835pF @30V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 80 W 70 W
下降时间 - 15 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 80W (Tc) 70W (Tc)
输入电容 1.83 nF - -
栅电荷 33.0 nC - -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -