对比图
型号 STD12NF06L STD12NF06LT4 MTD3055VL
描述 STMICROELECTRONICS STD12NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.08 Ω 0.08 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 30 W 3.9 W
阈值电压 2 V 3 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 12.0 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30 W 42.8W (Tc) 48 W
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 12.0 A 12.0 A
输入电容 - 350 pF 570 pF
漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V
上升时间 - 35 ns -
输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds) 570pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 30 W 1.5 W
下降时间 - 13 ns -
栅电荷 - - 10.0 nC
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Pre-Release Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -