MMBF170LT1G和MMBF170LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF170LT1G MMBF170LT3G PMBF170,215

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFETNXP  PMBF170,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

额定功率 0.225 W - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 5 Ω 5 Ω 2.8 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 225 mW 830 mW

阈值电压 3 V - 2 V

输入电容 60 pF 60.0 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA 300 mA

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 830 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 225mW (Ta) 830mW (Tc)

通道数 - 1 -

长度 3.04 mm 2.9 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台