DS1220AB-100IND和DS1220AD-100IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AB-100IND DS1220AD-100IND+ DS1220AB-100IND+

描述 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 -

封装 DIP-24 DIP-24 EDIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 100 GHz 100 GHz -

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 16000 B 2000 B -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.75 V

针脚数 - 24 -

封装 DIP-24 DIP-24 EDIP-24

长度 - 38.1 mm 38.1 mm

宽度 - 18.29 mm 18.8 mm

高度 - 10.67 mm 10.67 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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