对比图
型号 STS11NF30L STS14N3LLH5 FDS8878
描述 N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道30 V ， 0.005 Ω ， 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8878 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 11.0 A - 10.2 A
额定功率 2.5 W - -
漏源极电阻 0.0085 Ω 5 mΩ 0.011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W
阈值电压 1 V 1 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±18.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 7.00 A 10.2 A
上升时间 39 ns 14.5 ns 29.0 ns
输入电容(Ciss) 1440pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds) 897pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W
下降时间 16 ns 4.5 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.7W (Tc) 2.5W (Ta)
针脚数 - - 8
输入电容 - - 897 pF
栅电荷 - - 17.0 nC
通道数 - 1 -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.25 mm 1.65 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99