对比图
型号 FDS6680A SI4174DY-T1-GE3 PHK12NQ03LT
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680A 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 VVISHAY SI4174DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 7.8 mohm, 10 V, 1 VN沟道的TrenchMOS ？逻辑电平FET N-channel TrenchMOS?? logic level FET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.0095 Ω 0.0078 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2 V 1 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 12.5 A - 11.8 A
输入电容(Ciss) 1620pF @15V(Vds) - 1335pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 1 W - 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 12.5 A - -
针脚数 8 8 -
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
上升时间 5 ns 12 ns -
下降时间 15 ns 9 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown - Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -