2N7002T和BSS138N H6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002T BSS138N H6327 2N7002ET1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002T  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 VINFINEON  BSS138N H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 VON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-523-3 SOT-23-3 SOT-23-3

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.6 Ω 3.5 Ω 0.86 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 360 mW 420 mW

阈值电压 1.76 V 1 V 1 V

输入电容 - - 26.7 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - - 310 mA

上升时间 - 3 ns 1.2 ns

正向电压(Max) - - 1.2 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 32pF @25V(Vds) 26.7pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW - 300 mW

下降时间 - 8.2 ns 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 360 mW 300 mW

长度 1.7 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 0.98 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.78 mm 1.1 mm 0.94 mm

封装 SOT-523-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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