对比图
型号 FQPF5N60C STP4NK60ZFP STD15NF10T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF5N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 600 V - 100 V
额定电流 4.50 A - 23.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2.5 Ω 2 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 25 W 70 W
阈值电压 4 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 100 V
漏源击穿电压 600 V - 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.00 A 23.0 A
上升时间 42 ns 9.5 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 33 W 25 W 70 W
下降时间 46 ns 16.5 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33W (Tc) 25000 mW 70W (Tc)
额定功率 - 25 W -
长度 - 10.4 mm 6.6 mm
宽度 - 4.6 mm 6.2 mm
高度 - 9.3 mm 2.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -