对比图
型号 MJD2955T4 MJD2955T4G MJD2955TF
描述 互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount ApplicationsON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 - 2 MHz 2 MHz
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -10.0 A -10.0 A -10.0 A
极性 - N-Channel, P-Channel PNP
耗散功率 - 1.75 W 1.75 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) - - 100
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1750 mW 20 W
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 5 -
长度 - 6.73 mm 6.6 mm
宽度 - 6.22 mm 6.1 mm
高度 - 2.38 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99