对比图
型号 SI7430DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 SI7430DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7430DP-T1-E3 晶体管, N沟道VISHAY SI7846DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.041Ω, 4AVISHAY SI7430DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 PowerPAKSO-8
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.045 Ω 0.041 Ω 0.036 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 5.2 W 1.9 W 5.2 W
阈值电压 2.5 V 4.5 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 6.70 A 26.0 A
上升时间 12 ns - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) 1735pF @50V(Vds) - -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 5200 mW 1900 mW -
漏源击穿电压 - 150 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - 5.99 mm 6.15 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 1.04 mm 1.04 mm 1.04 mm
封装 SOIC SOIC-8 PowerPAKSO-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15