EMX1DXV6T1G和EMX1DXV6T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T5G EMX2DXV6T5G

描述 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-563 SOT-563-6 SOT-563

频率 180 MHz 180 MHz 180 MHz

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.5 W 357 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 357 mW 500 mW 500 mW

增益频宽积 - 180 MHz -

封装 SOT-563 SOT-563-6 SOT-563

长度 1.7 mm 1.6 mm -

宽度 1.3 mm 1.2 mm -

高度 0.6 mm 0.55 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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