MUN5235T1G和PDTC123JE,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5235T1G PDTC123JE,115 PDTC123JU,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5235T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新NXP  PDTC123JE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFENXP  PDTC123JU,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-416-3 SOT-323-3

针脚数 - 3 3

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 0.31 W 150 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V 100 @10mA, 10V

额定功率(Max) 202 mW 150 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) - 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 150 mW 200 mW

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

长度 - 1.8 mm -

宽度 - 0.9 mm 1.35 mm

高度 - 0.85 mm -

封装 SC-70-3 SOT-416-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台