BSP318S和PHT6N06LT

对比图

型号 BSP318S PHT6N06LT ZXMN6A11G

描述 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFETNXP  PHT6N06LT  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 5 V, 1.5 VDIODES INC.  ZXMN6A11G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.07 Ω 150 mΩ 0.14 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.8 W 8.3 W 3.9 W

阈值电压 1.6 V 1.5 V 1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 5.50 A 3.80 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W - -

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17