BC639RL1G和BC639ZL1G

对比图

型号 BC639RL1G BC639ZL1G BC639G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE高电流晶体管 High Current TransistorsON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 800 mW 625 mW 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

额定功率 - - 800 mW

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 40 - 40

长度 5.2 mm 5.2 mm 5.2 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR