对比图
型号 IRFR3411PBF STD25NF10LT4 STD15NF10T4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 36Milliohms; ID 32A; D-Pak (TO-252AA); -55degN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 32.0 A 25.0 A 23.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 44 mΩ 0.03 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 100 W 70 W
阈值电压 - 2.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 25.0 A 23.0 A
上升时间 35.0 ns 40 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1710pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 100 W 70 W
下降时间 - 20 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 70W (Tc)
产品系列 IRFR3411 - -
输入电容 1960pF @25V - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.26 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99