对比图
型号 STP10NK60ZFP STP12NM50FDFP FQPF12N60T
描述 STMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VN-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 10.0 A - 10.5 A
额定功率 35 W - -
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.65 Ω 400 mΩ 700 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 35 W 55 W
阈值电压 3.75 V - -
输入电容 1370 pF - 1.90 nF
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 500 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 12.0 A 5.80 A
上升时间 20 ns 10 ns 115 ns
输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) - 1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 35 W - 55 W
下降时间 30 ns 18 ns 85 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) - 55W (Tc)
栅电荷 - - 54.0 nC
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.3 mm 9.3 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99