对比图
型号 STB11NM60T4 STI11NM60ND FCB11N60TM
描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh ™II功率MOSFET I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh? II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 11.0 A - 11.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.4 Ω - 0.32 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 160 W 90W (Tc) 125 W
阈值电压 4 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A - 11.0 A
上升时间 20 ns - 98 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 850pF @50V(Vds) 1490pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W - 125 W
下降时间 11 ns - 56 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 90W (Tc) 125W (Tc)
输入电容 1000 pF - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
正向电压(Max) 1.5 V - -
长度 10.4 mm - 10.67 mm
宽度 10.4 mm - 9.65 mm
高度 4.6 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99