L6387E和L6387ED

对比图

型号 L6387E L6387ED L6387ED013TR

描述 MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  L6387ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8L6387 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz

电源电压(DC) - 5.50V (min) -

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.75 W 750 mW 750 mW

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

输出电流(Max) - 0.65 A -

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压(Max) 17 V 17 V 17 V

电源电压(Min) - 5.5 V -

输出电流 - - 650 mA

电源电压 17 V - 17 V

长度 10.92 mm 4.9 mm -

宽度 6.6 mm 3.9 mm -

高度 3.32 mm 1.25 mm -

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR