DS1258W-100IND#和DS1258Y-70

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258W-100IND# DS1258Y-70 DS1258Y-100

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

引脚数 - 40 40

电源电压 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 - 70 ns 100 ns

内存容量 - 2000000 B 2000000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

长度 - 53.72 mm -

宽度 - 18.29 mm -

高度 - 8.13 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 PB free Contains Lead Contains Lead

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台