L6386ED和L6386ED013TR

对比图

型号 L6386ED L6386ED013TR L6386D

描述 STMICROELECTRONICS  L6386ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

频率 400 kHz 0.4 MHz -

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 0.75 W 0.75 W 750 mW

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

输出电流(Max) 0.65 A 0.65 A -

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 17 VDC 17 V -

电源电压(DC) 9.10V (min) - 17.0V (max)

额定功率 750 mW - -

输出电压 580 V - -

输出电流 400 mA - -

通道数 2 - -

针脚数 14 - -

电源电压(Max) 17 V - -

电源电压(Min) 9.1 V - -

长度 8.75 mm 8.75 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.65 mm 1.65 mm -

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -