对比图
型号 STP13NM60N STP78N75F4 FCP11N60
描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 75V 78AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 11.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.28 Ω - 320 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 90 W 150 W 125 W
阈值电压 3 V 4 V 5 V
输入电容 - - 1.15 nF
栅电荷 - - 40.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 75 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 78A 11.0 A
上升时间 8 ns 33 ns 98 ns
输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 5015pF @25V(Vds) 1490pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 150 W 125 W
下降时间 10 ns 14 ns 56 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 150W (Tc) 125 W
通道数 1 1 -
长度 10.4 mm - 10.1 mm
宽度 4.6 mm - 4.7 mm
高度 15.75 mm - 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -