对比图
型号 IPW50R199CP STW23NM50N STB23NM50N
描述 INFINEON IPW50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3
漏源极电阻 0.18 Ω 0.162 Ω 0.162 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 139 W 125 W 125 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V
上升时间 14 ns 19 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @100V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1330pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 139 W 125 W 125 W
下降时间 10 ns 29 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 125W (Tc)
针脚数 3 3 -
漏源击穿电压 - 500 V -
通道数 1 - -
连续漏极电流(Ids) 17.0 A - -
长度 16.13 mm 15.75 mm 10.75 mm
宽度 5.21 mm 5.15 mm 10.4 mm
高度 21.1 mm 20.15 mm 4.6 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -