对比图
型号 STB16N65M5 STB18N65M5 STD16N65M5
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.23 Ω 198 mΩ 0.23 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 90 W 110 W 90 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 12A - 12A
上升时间 7 ns 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @100V(Vds) 1240pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 110 W 90 W
下降时间 8 ns 11 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
针脚数 - 3 3
通道数 - 1 -
输入电容 - 1240 pF -
漏源击穿电压 - 650 V -
长度 10.75 mm 10.4 mm 6.6 mm
宽度 10.4 mm 9.35 mm 6.2 mm
高度 4.6 mm 4.6 mm 2.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99