STB24NM65N和STL26NM60N

对比图

型号 STB24NM65N STL26NM60N STB23NM60N

描述 STMICROELECTRONICS  STB24NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STL26NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 PowerFlat-4 TO-263-3

引脚数 3 5 -

耗散功率 160 W 125 W 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

输入电容(Ciss) 2500pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 160W (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 5 -

漏源极电阻 0.16 Ω 0.16 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 3 V 4 V -

漏源击穿电压 650 V - -

连续漏极电流(Ids) 19A 19A -

上升时间 10 ns 25 ns -

额定功率(Max) 160 W 125 mW -

下降时间 20 ns 50 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 PowerFlat-4 TO-263-3

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -