IPD042P03L3GATMA1和IPD068P03L3GATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD042P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 IPD053N08N3GBTMA1

描述 INFINEON  IPD042P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V 新INFINEON  IPD068P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 VDPAK N-CH 80V 90A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0035 Ω 0.005 Ω 4.4 mΩ

极性 P-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 100 W 150 W

阈值电压 1.5 V 1.5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 80 V

输入电容(Ciss) 12400pF @15V(Vds) 7720pF @15V(Vds) 4750pF @40V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 30 V 80 V

上升时间 - 100 ns 66 ns

下降时间 - 31 ns 10 ns

连续漏极电流(Ids) - - 90A

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 5.97 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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